MOS管一般有耗盡型和增強型兩種。這里我們以增強型MOS為例分析。
MOS管由漏極、源極和柵極組成,還分為N溝和P溝兩種MOS管。首先我們將漏極接到電源正極,源極接到電源負極。對mos管而言,在柵極無電壓情況下,源極與漏極之間是兩個背對背二極管,而不會有電流通過,此時的mos管處于截止狀態。
如上圖所示,柵極加電壓時,當電壓小于閾值 VGS (th)時,柵極與基片 P之間會因為電場的作用,使 P型半導體的源極和漏極上的負電子受到吸引而涌向柵極,而因為氧化膜的阻隔,將電子聚集在兩個N溝道之間的半導體中。
如果柵極電壓越高,電子濃度就會越高。當VGS (th)超過一個閾值,N型半導體將在源極和漏極之間形成一個電子通道。這段時間內,由于漏極上加了正電壓,會形成漏極至源極的電流, MOS管導通。
還可以把兩個N型半導體間的一條溝槽想象成一條河流,柵極電壓的建立相當于在兩者之間架起一座橋梁,其大小取決于柵壓的大小。所以 MOS管才是控制電壓的晶體管。把 MOS管想像為一個閥門,它的柵極就象一個控制水流是否能通過的開關。
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