MOS管又稱場效應管,即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS管的source和drain是可以對調的,都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。
MOS管的特性:
1、MOS管輸入、輸出特性
對于共源極接法的電路,源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離,所以柵極電流為0,其輸出特性和轉移特性曲線如下。
2、MOS管導通特性
MOS管作為開關元件,同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓VGS決定其工作狀態。下面介紹MOS管的NMOS特性和PMOS特性:
?、?、NMOS的特性,VGS大于一定的值就會導通,適合用于源極接地時的情況(低端驅動),只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
?、?、PMOS的特性,VGS小于一定的值就會導通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動,但由于導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用NMOS。
MOS管的類型
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:MOS管又分耗盡型與增強型,所以MOS場效應晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類:N溝道消耗型、N溝道增強型、P溝道消耗型、P溝道增強型。