現階段研制開發高電壓陶瓷電容器有鈦酸鋇基瓷和鈦酸鍶。第一類鈦酸鋇基陶瓷材料有不錯的交流耐壓性能與介電系數,但存在著介質溫度升高、絕緣電阻降低等問題。最后表明:鈦酸鍶晶體在-250℃時居里溫度為-250℃,是一種順電體,且無自發極化,在高電壓下,陶瓷材料介電系數變化小,tgδ及電容變化率小,因此它作為高壓電容器介質具有不錯的優勢。
多層式陶瓷電容器
是片式電子元件中運用最普遍的一種,又被稱為片形獨石電容器,具有尺寸小、高精度等特點,可貼裝在印制電路板、混合集成電路基片上,有效縮小了電子信息終端產品的體型、重量,提高了產品可靠性。隨著IT產業向微型化、輕量型、高性能、多功能化方向發展,2010年的遠景目標綱要中有指示,將表面貼裝件等新電子元件作為電子產業的發展重點。
該方法封裝簡單,密封性能好,可有效地隔離異性電極。MLCC可在電子線路上起儲存電荷、阻隔直流、濾波、反干擾、區分不同頻率以及實現電路調節等功能。它可以部分替代有機薄膜電容和電解電容,在高頻開關電源、計算機網絡電源和移動通訊設備中,極大地提高了高頻開關電源的濾波性能和抗干擾能力。
半導體陶瓷電容器
(1)對BaTiO3來講,晶界層陶瓷電容晶粒生長發育比較完整的BaTiO3半導體表面,涂覆恰當的金屬氧化物,在恰當的溫度下熱處理,氧化膜與BaTiO3形成低共溶液相,沿開口氣孔和晶界迅速擴散,在陶瓷內部形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這一薄的固溶體絕緣層具有很高的電阻率,盡管陶瓷粒子內部還是以半導體為主,但是整個陶瓷體在顯介電常數上表現出2×104~8×104的高質量絕緣介質。
(2)表面陶瓷電容,電容器的微型化,即電容器以最大限度小的體型得到盡可能大的容量,是電容器發展的趨勢之一。對分離電容器組件來講,微型化的基本途徑有兩條:①盡量提高介質材料的介電常數;②使介質層厚度盡量減小。對于陶瓷材料,鐵電陶瓷具有非常高的介電常數,但是,要想用鐵電陶瓷制作普通鐵電陶瓷電容時,陶瓷介質很難實現。第一是由于鐵電陶瓷強度低,在薄板上易碎裂,難以實際生產操作;第二,陶瓷介質很薄,易產生各種組織缺陷,生產工藝困難。
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