揚杰MG35P12P3 IGBT模塊規格參數、規格書

　　揚杰MG35P12P3 IGBT模塊被廣泛應用于各個行業。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導體功率開關器件，具有高電壓和高電流承受能力，廣泛應用于交流和直流電動機驅動、變頻器、電力傳輸和發電系統等領域。

　   一、揚杰MG35P12P3 IGBT模塊規格參數

　　產品類型：IGBT模塊

　　產品型號：MG35P12P3

　　產品描述：1200V 35A

　　產品封裝：P3

　　產品品牌：揚杰

　　反向重復峰值電壓VRRM：1200V

　　正向平均電流IF：35A

　　飽和壓降 VCE： 1.85V

　　工作溫度范圍：-40℃~+150℃

　   二、揚杰MG35P12P3 IGBT模塊規格書

　　三、揚杰MG35P12P3 IGBT模塊的特性

　　揚杰的MG35P12P3 IGBT模塊采用了先進的技術和工藝，在性能和可靠性方面具有顯著的優勢。該模塊采用了最新的第三代IGBT芯片，具有更低的開關損耗和更高的開關速度。同時，模塊還配備了高效的散熱器和溫度傳感器，能夠有效地冷卻模塊并監測溫度，保證系統的穩定運行。

　　MG35P12P3 IGBT模塊的主要特點包括：額定電流為35A，額定電壓為1200V，最高耐受電壓可達1400V，最低開通電壓為1.7V。此外，該模塊還具有低導通壓降和低開通電流的特性，提供了更高的效率和性能。

　　在實際應用中，MG35P12P3 IGBT模塊能夠有效地控制和調節電流和電壓，確保系統的穩定運行。它可以防止過電流和過壓等故障的發生，保護關鍵設備免受損壞。這種模塊還具有耐高溫、抗擊穿和抗拉伸等特性，適用于各種苛刻的工作環境。

　　該模塊廣泛應用于工業自動化控制、電氣傳動系統、可再生能源發電系統等領域。它可以用于電機驅動、電力變頻器、氣體放電照明、電焊設備等應用。在工業生產中，這種模塊能夠提高生產效率和質量，降低能源消耗和設備維護成本。

　　揚杰MG35P12P3 IGBT模塊，嚴格遵循國際質量標準和工藝流程。每個模塊都經過嚴格的測試和質量檢查，確保其性能穩定可靠。此外，還提供售前售后技術支持，以滿足客戶的各種需求和解決問題。

　　揚杰的MG35P12P3 IGBT模塊是一種高性能、高可靠性的功率開關器件。它具有先進的技術和特性，可廣泛應用于各個行業。無論是工業自動化、電力傳輸還是新能源領域，該模塊都能夠提供穩定的電流和電壓控制，保證系統的安全運行。